| 主要用途 主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。 由于本机找平机构*，找平力小、使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片、宝石片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。 |
| 主要功能特点 1.适用范围广 适用于Φ153mm以下，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。 2.分辨率高 采用高均匀性的多点光源（蝇眼）曝光头，非常理想的三点式自动找平机构和稳定可靠的真空密着装置，使本机的曝光分辨率大为提高。 3.套刻精度高、速度快 采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式，使导轨自重和受力方向保持一致，自动消除间隙；承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构，使本机片对版在分离接触时漂移特小，对准精度高，对准速度快，从而提高了版的复用率和产品的成品率。 4.可靠性高 采用PLC控制器、进口电磁阀和按钮、的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件，使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、维修简便。 5.特设“碎片"处理功能 解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。 |  三点找平机构 高精度X、Y、Z、Q 调节机构 |
| 主要技术指标 ◆曝光类型：单面 ◆曝光面积：≥φ170mm ◆曝光照度不均匀性：≤±6% ◆曝光强度：≥5mw/cm2（365nm、404nm、435nm的组合紫外光） ◆曝光分辨率：≤2μm ◆曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光； ◆扫描范围:X:±40mm Y:±30mm ◆对准范围：X、Y粗调±3mm，细调±0.3mm； Q粗调±15°细调±3° ◆套刻精度：≤1μm ◆分离量；0～50μm可调 ◆接触－分离漂移：≤1μm ◆曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光 ◆找平机构：三点式自动找平 ◆显微系统：双视场CCD系统，显微镜60X～400X连续变倍（物镜1.5X～10X连续 变倍），双物镜距离可调范围:45mm～150mm,计算机图像处理系统，19″液晶监 视器； ◆掩模版尺寸：5"×5"、6"×6"、7"×7" ◆基片尺寸：Φ4"、Φ5"、Φ6" ◆基片厚度：≤5 mm ◆曝光灯功率：直流350W ◆曝光定时：0～999.9秒可调 ◆对准方式：切斯曼对准机构 ◆曝光头转位：气动 ◆电源：单相AC220V 50Hz 功耗≤1kW ◆洁净空气压力：≥0.4MPa ◆真空度：-0.07MPa～-0.09MPa ◆尺寸： 920×680×1600（L×W×H)mm ◆重量：～170kg |
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