主要用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声 表面波器件的研制和生产。 主要构成 主要功能特点 ◆曝光类型：单面 真空吸附式板架 X、Y扫描机构 | 气浮式找平机构
主要由高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝 光头、气动系统、真空管路系统、直联式真空泵、防震工作台和附件箱等组成。
1.适用范围广
适用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.结构*
具有气浮式找平机构和可实现真空硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构；具有真空掩膜版架、真空片吸盘。
3.操作简便
采用翻板方式取片、放片；按钮、按键方式操作，可实现真空 吸版、吸片、吸浮球、吸扫描锁等功能，操作、调试、维护、修理 都非常简便。
4.可靠性高
采用进口电磁阀、按钮、定时器；采用*的气动系统、真空管路系统和精密的机械零件，使本机具有非常高的可靠性。
5.特设“碎片"处理功能
解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。 主要技术指标
◆曝光面积：≥φ120mm
◆光束不平行度：≤6°
◆曝光不均匀性：≤±5%
◆曝光强度：≥5mw/cm2
◆曝光分辨率：≤1.5μm
◆曝光模式：套刻曝光
◆对准精度：1μm
◆扫描范围：X：±40mm Y：±35mm
◆对准范围：X、Y调节±4mm，旋转调节90°
◆升降：8mm
◆密着曝光方式：密着曝光可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；
◆显微系统：双视场CCD系统；放大倍数5X～300X连续可调（物镜 1.1～7.5倍连续可调）；双物镜距离可调范围11mm～100 mm；计算机图像处理系统；
◆掩模版尺寸：2.5″×2.5″、4″×4″、5″×5″
◆基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″
◆基片厚度：≤5 mm
◆曝光灯功率：直流200W
◆曝光定时：0～999.9秒可调
◆电源：AC220V 50Hz 1kW
◆空气：P≥0.1MPa，耗气量0.2m3/小时；
◆真空度：-0.07MPa～-0.09MPa
◆外形尺寸：918×680×1450(L×W×H)mm
◆重量：～160kg 
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