| 主要用途 光刻机是光刻工艺过程的重要设备，本机型主要用于中小规模集成电路标准芯片的批量生产。 由于本机采用“蝇眼"式多点光源紫外曝光、三点式自动找平、微“漂移"式接触分离、电动步进式切斯曼对准、自动装卸片及自动预对准等*机构和技术，使得本机具有：精度高、可靠性高、操作维修方便 、生产效率高等特点。 | |
技术参数：
1．工作方式：盒到盒自动传片，一次曝光全自动，套刻曝光半自动，单面曝光；
2．曝光面积：≥φ165mm；
3．曝光不均匀性：≤±3%；
4．曝光强度：≥10mw/cm2；
5．曝光分辨率：1μm；
6．曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光模式；
7．显微镜扫描范围：X：±40mm Y：±35mm
8．对准范围：X、Y粗调±3mm，细调±0.3mm ；Q粗调±15°，细调±3°；
9．对准精度：1μm；
10．分离量；0～50μm可调；
11．接触－分离漂移：≤1μm；
12．曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；
13．找平机构：三点式自动找平；
14．显微系统：双视场CCD系统，显微镜60X～400X连续变倍（物镜1.5X～10X），
双物镜距离可调范围：45mm～150 mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；
15．掩模版尺寸：5″×5″、6″×6″、7″×7″；
16．基片尺寸：φ4″、φ5″、φ6″；
17．基片厚度：≤5 mm；
18．曝光灯功率：直流350W；
19．曝光定时：0～999.9秒可调；
20．对准方式：电动步进式切斯曼对准机构，节距0.5um；
21．曝光头转位：气动；
22. 生产节拍：14秒+曝光时间+对准时间；
23．电源：单相AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；
24．洁净空气压力：≥0.4MPa；
25．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；
26．尺寸： 1300mm（长）×785mm（宽）×1650mm（高）；
27．重量：约240Kg。
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