| 主要用途： 主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路的研制和生产。 工作方式： 本机采用版—版对准双面同时曝光方式，亦可用于单面曝光。 主要构成： 主要由高精度对准工作台、Z轴升降机构、双视场CCD显微显示系统)、二台多点光源蝇眼式曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、防震工作台等组成。 | CCD显微系统|X、Y、Q对准工作台|Z轴升降机构 |
主要功能特点
1．曝光类型：单面对准双面一次曝光；
2．曝光面积：110×110mm；
3．曝光照度不均匀性：≤3%；
4．曝光强度：≥40mw/cm2可调；
5．紫外光束角：≤3˚；
6．紫外光中心波长：365nm、404nm、435nm可选：
7．紫外光源寿命：≥2万小时；
8．曝光分辨率：≤1.5μm；
9．曝光模式：双面同时曝光；
10．对准精度：对准精度≤6μm；
11．对准范围：X：±5mm Y：±5mm；
12．旋转范围：Q向旋转调节≥±5°；
13．升降：≥16mm；
14．密着曝光方式：密着曝光可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；
15．显微系统：双视场CCD系统，显微镜45X～300X连续变倍，显微镜扫描范围：X:±40mm，Y:±35mm；双物镜距离可调范围：11mm～100mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；
16．掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″；
17．基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″；
18．基片厚度：≤5 mm；
19．曝光定时：0～999.9秒可调；
20. 电源：单相AC220V 50HZ ，功耗≤1.5KW；
21．洁净压缩空气压力：≥0.4MPa；
22．真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；
23．尺寸： 985mm（长）×680mm（宽）×1800mm（高）；
24．重量：约190Kg。
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