这款箱式炉以1850型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能...

这款箱式气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能...

这款箱式气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能...

这款箱式气氛炉以1800型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统...

这款箱式气氛炉以1800型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统...

这款气氛箱式炉以1800型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多纤维材 料，双层炉壳间配...

这款气氛箱式炉以1800型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多纤维材 料，双层炉壳间配...

CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达...

CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达...

这款箱式炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用1600型氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能...

这款箱式炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用1600型氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能...