款箱式炉以1800型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口1800型氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间...

这款箱式炉以瑞典Kanthal 1900型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口1900型氧化铝多晶...

这款箱式炉以瑞典Kanthal 1900型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口1900型氧化铝多晶...

这款箱式炉以铁烙铝电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和厦门宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，30分钟内...

这款箱式炉以铁烙铝电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和厦门宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，30分钟内...

CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达...

CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达...

CVD系统由供气系统+双温区管式炉+抽气系统组成 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限...

CVD系统由供气系统+双温区管式炉+抽气系统组成 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限...

CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达...

CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达...

CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达...

CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达...

TL1200-1200-H双温区4通道滑竿式CVD系统由 4路供气系统+TL1200-1200双温区滑动管式炉+抽气系统组成！ 滑动式CVD系统是在双温区管式炉...

TL1200-1200-H双温区4通道滑竿式CVD系统由 4路供气系统+TL1200-1200双温区滑动管式炉+抽气系统组成！ 滑动式CVD系统是在双温区管式炉...

CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达...

CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达...

这款箱式气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能...

这款箱式气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能...

这款气氛箱式炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升...