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这款管式炉外观小巧,以优质电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温仪表,过零触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,炉管两端能不锈钢法兰密封,不...
这款管式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和控温仪表,能进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,炉管两端能不锈钢法兰密封,不锈...
这款管式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和控温仪表,能进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,炉管两端能不锈钢法兰密封,不锈...
这款管式炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电控温仪表,能进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,用流量计控制进气流量 炉管...
这款管式炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电控温仪表,能进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,用流量计控制进气流量 炉管...
这款管式炉以电阻丝(Canthal)为加热元件,采用双层壳体结构和日本岛电控温仪表,能进行40段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有...
这款管式炉以电阻丝(Canthal)为加热元件,采用双层壳体结构和日本岛电控温仪表,能进行40段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有...
这款箱式炉以铁烙铝电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和厦门宇电30段程序控温系统,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,30分钟内...
这款箱式炉以铁烙铝电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和厦门宇电30段程序控温系统,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,30分钟内...
这款气氛箱式炉以1800型钼丝为加热元件,采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系...
这款气氛箱式炉以1800型钼丝为加热元件,采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系...
CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ,Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度,加热区间可以是单温区、双温区、三温区等,极限真空可以达...
CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ,Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度,加热区间可以是单温区、双温区、三温区等,极限真空可以达...
TL1200-H 4通道滑竿式CVD系统由 4路供气系统+TL1200滑动管式炉+抽气系统组成! 滑动式CVD系统是管式炉炉底安装一对滑轨,可用手滑动。可以达到...
TL1200-H 4通道滑竿式CVD系统由 4路供气系统+TL1200滑动管式炉+抽气系统组成! 滑动式CVD系统是管式炉炉底安装一对滑轨,可用手滑动。可以达到...
CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ,Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度,加热区间可以是单温区、双温区、三温区等,极限真空可以达...
CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ,Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度,加热区间可以是单温区、双温区、三温区等,极限真空可以达...
CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统组成 ,Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度,加热区间可以是单温区、双温区、三温区等,极限真空可...
CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统组成 ,Z高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度,加热区间可以是单温区、双温区、三温区等,极限真空可...
这款箱式炉以1850型硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能...
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