紫外光源机型有功率 : 350W，500W，1000W，2000W，3500W，5000W 。

曝光光源尺寸 : 4″，6″，8″，10″，12″ 。

波长 : NUV(含365nm, 400nm, 435nm) ，光源平行半角 : 1.5~2.5度(依出光口径)。

均匀度: +-3~5% ，高压汞灯泡及电源供应器。

采用可变倍率镜头方便对准操作，标准倍率 50X-300X， 配合CCD影像系统，

19吋LCD萤幕， 打光有LED同轴光或环形光， 观测的两点间距 4cm-15cm ，

可选配镜头扫描台以快速移动镜头， 可选配背面对准影像系统。

光罩真空吸盘 : 上吸式或下吸式4″，5″，6″， 7″， 9″ 。

晶圆真空Chuck : 2″， 4″， 6″，8″圆形或方形， 具光罩晶圆水平校正功能。

曝光模式有 : 真空接触式与近接式，可调整真空吸附力大小， X，Y轴调整 10mm，调整解析度 2um， Z轴可调整 5mm，

千分表解析度 1um， 上光罩开启以取放基板。

采PLC半自动操作系统， 可切换手动及自动模式。

操作流程 : 置基板， (按键)上光罩关闭，镜头移入做对准动作，(按键)上光罩下压,镜头移出灯源移入曝光(计时)，

灯源移出取，上光罩开启，取基板。

曝光快门控制 : 计时器控制 0.1-999秒。

能量控制 : 0.1~9000mJ/cm2。

具四个防震气垫，具调整脚及移动轮， 铝挤型机架加铝板及黄色PVC抗静电包覆机台，开数个操作与维修门窗及视窗。

产量依对位精度及曝光时间而不同可达每分钟曝三片，

采真空接触曝光图形解析可达1um以内(正光阻厚 1um)，

采近接式曝光依晶圆与光罩间距设定约在 3~5um。