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当前位置:深圳市骊微电子科技有限公司>>场效应管/MOS/IGBT>>IGBT>> SGT20T60SD1P7士兰微600v igbt单管SGT20T60SD1P7替代STGF19NC60KD

士兰微600v igbt单管SGT20T60SD1P7替代STGF19NC60KD

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:SGT20T60SD1P7
  • 品牌:
  • 产品类别:其它输变电设备
  • 所在地:深圳市
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2024-12-15 18:25:08
  • 浏览次数:2
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:321条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2015-03-06
  • 最近登录:2023-11-09
  • 联系人:杜S
产品简介

士兰微600VIGBT单管是一种高压、高电流电力控制器件,它是基于MOSFET和双极晶体管工作原理设计而成的,具有双极型和单极型晶体管的优点,可用于驱动电机、变频器、逆变器等高功率应用场合

详情介绍
  士兰微600V IGBT单管是一种高压、高电流电力控制器件,它是基于MOSFET和双极晶体管工作原理设计而成的,具有双极型和单极型晶体管的优点,可用于驱动电机、变频器、逆变器等高功率应用场合。
  
  SGT20T60SD1P7替代STGF19NC60KD特点  
  ■ 低导通损耗  
  ■ 高输入阻抗  
  ■ 快开关速度  
  ■ 20A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=20A
  
  士兰微igbt单管SGT20T60SD1P7极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃)
参数 符号 参数范围 单位
集电极射极电压 VCE 600 V
栅极射极电压 VGE ±20 V
集电极电流 Tc=25℃ Ic 40 A
Tc=100℃ 20
集电极脉冲电流 IcM 60 A
二极管电流 Tc=25℃
Tc=100℃
IF 16
8 A
短路维持时间
(VGE=15V,Vcc=300V)
TSC 10 us
耗散功率(Tc=25℃) PD 139 W
工作结温范围 TJ -55~+150
贮存温度范围 Tstg -55~+150
  
  士兰微igbt单管SGT20T60SD1P7集电极射极电压600V,集电极电流(Tc=100℃)20A,采用T0-247-3L封装,与ST/意法STGF19NC60KD极性、封装、电性参数等基本一致,可兼容替换,更多国产IGBT管替代进口IGBT管产品手册等相关资料向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
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