600V 30A IGBT SGT30T60SD1FD是一种功率半导体器件，用于高压和大电流开关应用中，它的结构类似于一个晶体管和一个可控硅的组合，具有高效率和快速开关特性，600v 30a igbt SGT30T60SD1FD常用于UPS，SMPS，电动工具以及PFC等领域。
600v 30a igbt SGT30T60SD1FD特点
■ 低导通损耗
■ 快开关速度
■ 高输入阻抗
■ 30A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=30A
SGT30T60SD1FD极限参数（除非特殊说明，Tc=25℃）
| 参数 | 符号 | 参数范围 | 单位 | |
| 集电极射极电压 | VCE | 600 | V | |
| 栅极射极电压 | VGE | ±20 | V | |
| 集电极电流 | Tc=25℃ | Ic | 60 | A |
| Tc=100℃ | 30 | |||
| 集电极脉冲电流 | IcM | 90 | A | |
| 二极管电流 Tc=100℃ | IF | 15 | A | |
| 耗散功率(Tc=25℃) | PD | 230 | W | |
| 工作结温范围 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 贮存温度范围 | Tstg | -55~+150 | ℃ | |
600v 30a igbt SGT30T60SD1FD采用TO-220F封装，饱和压降VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=30A，，它通常用于电力电子装置和交流驱动器中，例如工业机器的电机控制系统、电源转换设备以及可再生能源系统的逆变器，提供高速开关和低能耗的解决方案，更多600v 30a igbt SGT30T60SD1FD 规格书等资料请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
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