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当前位置:深圳市骊微电子科技有限公司>>场效应管/MOS/IGBT>>IGBT>> SGT20T60SD1Sigbt 600v 20a SGT20T60SD1S TO263参数详解

igbt 600v 20a SGT20T60SD1S TO263参数详解

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:SGT20T60SD1S
  • 品牌:
  • 产品类别:其它输变电设备
  • 所在地:深圳市
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2024-12-15 18:23:52
  • 浏览次数:3
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:321条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2015-03-06
  • 最近登录:2023-11-09
  • 联系人:杜S
产品简介

IGBT600V20ASGT20T60SD1S可以承受电压为600V和电流为20A,可以通过控制其栅极电压来控制其导电状态,从而控制电流和电压,通常用于电机控制、交流变频器、逆变器、UPS系统和其他高功率应用中

详情介绍
  IGBT 600V 20A SGT20T60SD1S可以承受电压为600V和电流为20A,可以通过控制其栅极电压来控制其导电状态,从而控制电流和电压,通常用于电机控制、交流变频器、逆变器、UPS系统和其他高功率应用中。
  
  SGT20T60SD1S特点  
  ■ 快开关速度  
  ■ 高输入阻抗  
  ■ 低导通损耗  
  ■ 20A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=20A
  
  igbt 600v 20a SGT20T60SD1S极限参数
参数 符号 参数范围 单位
集电极射极电压 VCE 600 V
栅极射极电压 VGE ±20 V
集电极电流 Tc=25℃ Ic 40 A
Tc=100℃ 20
集电极脉冲电流 IcM 60 A
二极管电流 Tc=25℃
Tc=100℃
IF 16
8 A
短路维持时间
(VGE=15V,Vcc=300V)
TSC 10 us
耗散功率(Tc=25℃) PD 178 W
工作结温范围 TJ -55~+150
贮存温度范围 Tstg -55~+150
  
  igbt 600v 20a SGT20T60SD1S采用T0-263-2L封装,VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=20A,具有速度快、失真小、效率高、可靠性好等特点,适用于需要高速开关和高电压电流控制的应用,更多SGT20T60SD1S 产品手册规格等电气参数请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
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