国产igbt 600v 5a SGTP5T60SD1F采用T0-220F-3L封装，饱和压降VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，可兼容AOD5B65M1，是电机逆变IGBT，可广泛应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
SGTP5T60SD1F特征
■ 快开关速度
■ 高输入阻抗
■ 低导通损耗
■ 5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A
国产igbt 600v 5a SGTP5T60SD1F参数
| 参数 | 符号 | 参数范围 | 单位 | |||
| SGTP5T60SD1D | SGTP5T60SD1F | SGTP5T60SD1S | ||||
| 集电极射极电压 | VCE | 600 | V | |||
| 栅极射极电压 | VGE | ±30 | V | |||
| 集电极电流 | Tc=25℃ | Ic | 10 | A | ||
| Tc=100℃ | 5 | |||||
| 集电极脉冲电流 | IcM | 15 | A | |||
| 二极管电流 | IF | 10 | A | |||
| 短路维持时间 | TSC | 10 | us | |||
| (VGE=15V,Vcc=300V) | ||||||
| 耗散功率(Tc=25℃) | PD | 82 | 35 | 83 | W | |
| 工作结温范围 | TJ | -55~+150 | ℃ | |||
| 贮存温度范围 | Tstg | -55~+150 | ℃ | |||
SGTP5T60SD1F国产igbt 集电极射极电压600v，集电极电流Tc=100℃=5A，具有较低的导通损耗和开关损耗，更多国产igbt 600v 5a SGTP5T60SD1F可兼容AOD5B65M1规格书等资料请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
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