设备用途：
设备用于各种金属薄膜、半导体薄膜、介质薄膜、超晶格薄膜、集成光学薄膜、多层薄膜和薄膜器件的制备。该系统可以与磁控溅射系统结合，单独也可以同时进行磁控溅射镀膜和离子束溅射镀膜膜，也可以联合制备磁控和离子束溅射复合膜。样品通过磁力进样机构实现在两个真空室之间的传递。整个系统具有用离子束制备超薄膜到中厚膜和用磁控溅射制备中厚膜到厚膜的全部功能
| 主要技术指标 | |
| 真空指标 | 极限真空度：≤5x10-5Pa (经烘烤除气后)； 系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S； 系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到6x10-4 Pa； 停泵关机12小时后真空度：≤5Pa； |
| 真空室 | 圆筒型真空室电动上升盖结构，上面焊有观察窗，放气阀、膜厚仪等法兰接口。选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面特殊工艺处理。内壁挂防污板。 |
| 样品 | 基片尺寸：可放置Φ30mm基片；同时可以安放6片；加热工位基片加热温度 500°C±1°C，由热电偶闭环反馈控；基片可以加负偏压-200V； |
| 溅射离子源（考夫曼源） | 引出栅直径：Φ30mm； |
| 辅助沉积离子源（考夫曼源） | 引出栅直径：Φ30mm；； |
| 真空获得及测量 | 分子泵+机械泵，数显复合真空计（皮拉尼规+电离规） |
| 四工位转靶组件 | 靶材尺寸为：70×70mm；转靶通水冷却，靶材平面与溅射离子枪呈45°；转靶由步进电机驱动，计算机控制转靶转动到不同的四个工位；转靶配有一个筒形挡板，由手动机械转轴驱动； |
| 气路 | 三路进气；气体质量流量控制器。 |
| 控制系统 | 手动或自动 |
| 工作压力控制系统 | 手动或自动 |
| 水冷机组 | 可选 |
| 进样室 | 可选 |
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