设备用途 ：
本系统为单室超高真空磁控溅射镀膜装置, 可用于开发单层及多层功能膜－各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等材料。
| 主要技术指标 | |
| 真空指标 | 极限真空度：≤6.67x10-5Pa (经烘烤除气后)； 系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S； 系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到6.6x10-4 Pa； 停泵关机12小时后真空度：≤5Pa； |
| 真空室 | 真空室为圆筒型前开门结构，壁挂防污板，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封。 |
| 磁控靶 | 永磁靶Φ50mm/Φ75mm,（强磁可选），射频溅射与直流溅射兼容，靶内有水冷；单独挡板 |
| 样品 | 可放置Φ100mm基片，加热温度 600°C±1°C，直流负偏压-200V或射频偏压 |
| 真空获得及测量 | 分子泵+机械泵，数显复合真空计（皮拉尼规+电离规） |
| 配套电源 | 直流电源、射频电源、直流脉冲电源 |
| 气路 | 三路进气，质量流量计控制 |
| 控制系统 | 手动或自动 |
| 工作压力控制系统 | 手动或自动 |
| 石英晶振膜厚仪 | 可选 |
| 水冷机组 | 可选 |
| 进样室 | 可选 |
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