设备用途：
本设备采用等离子体增强化学气相沉积工艺，在光学玻璃等沉底材料上沉积半导体薄膜材料，制备非晶硅和微晶硅半导体薄膜器件，可用于氧化硅 、氮化硅 、碳化硅 及类金刚石碳的沉积。广泛应用于大专院校 、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
| 主要技术指标 | |
| 真空指标 | 极限真空度：≤6x10-5Pa (经烘烤除气后)； 系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S； 系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到6.6x10-4 Pa； 停泵关机12小时后真空度：≤10Pa； |
| 真空室 | 真空室为圆筒形真空室，上升盖，壁挂防污板，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封。 |
| 上极板 | 气体输送系统的设计，法兰接口进气,气体从顶端进入匀气盘，并采用一个无二喷淋头和针孔式匀气盘，匀气盘采用圆形结构 |
| 样品 | 可放置Φ100mm基片，加热温度 500°C±1°C。 |
| 真空获得及测量 | 分子泵+机械泵+罗茨泵，数显复合真空计（皮拉尼规+电离规） |
| 配套电源 | 射频电源 |
| 气路 | 配备半导体标准气路柜，顶部接有排风。整套气路全部安装在一个密闭的配气柜中。气体的输送、分配采用工控机+PLC可编程控制，实行封闭式全自动进气。配备有毒气体检测与报警系统：SiH4，H2，NH3。配套气路使用的气路管道、VCR接头、每路气体配有单向阀、配有气动截止阀、质量流量控制器等全部使用进口件。对于腐蚀性及危险气体，使用高质量、全不锈钢质量流量计 |
| 控制系统 | 手动或自动 |
| 工作压力控制系统 | 自动 |
| 水冷机组 | 可选 |
| 尾气处理装置 | 可选 |
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