HJ1200-080Sic MOSFET是采用Sic工艺实现的一款耐高温功率器件。Sic是一种的半导体的材质，它具有类似于金刚石的硬度、数倍于Si材质的禁带宽度。载流子迁移速度、击穿电压、热导率以及耐高温特性均远优于传统硅材质。用Sic材质制作的NMOS管在高温、高压、高频、大功率、抗辐射、微波等领域得到广泛应用。在石油探测领域主要用于电机驱动、高温BUCK型DC//DC电源、高频发射等方面。

    由于超宽的禁带能级，使得用Sic材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小，故为了达到额定的I_D电流，那么需要的栅源电压要大一些。另外，为了保证在T_j≥250℃下MOS管能够可靠关断，保证高温下输入低电平的噪声容限，Sic MOS管需要一个负偏压关断，这点类似于IGBT管。HJ1200-080的可靠导通范围18V≤V_GS≤25V，可靠关断范围-10V≤V_GS≤-2V。它采用有热沉块的TO-258金属全密封外壳封装，三个引出端和外壳(散热器)分别相互绝缘，使用方便。其主要特点有：

• 输入电容小，可实现高速开关       
• 耐压高（≥1200V）
• 导通电阻小（R_ON≤80mΩ）          
• 输出电流大（≥35A，∞散热器）
• 可直接并联使用                   
•  无闩锁效应
• 栅源击穿电压高                    
•  T_j≥200℃