您好,欢迎来到兴旺宝!请 |免费注册

产品展厅本站服务收藏该商铺

陕西航晶微电子有限公司

免费会员
手机逛
陕西航晶微电子有限公司
当前位置:陕西航晶微电子有限公司>>冗余驱动器系列>> HJ393A/B/C耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器

HJ393A/B/C耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器

产品二维码
参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:
  • 品牌:
  • 产品类别:其它
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2025-03-14 19:58:37
  • 浏览次数:2
收藏
举报

联系我时,请告知来自 兴旺宝

陕西航晶微电子有限公司

其他

  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:162条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2017-10-13
  • 最近登录:2024-06-01
  • 联系人:赵先生
产品简介

HJ393A/B/C是耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器,内含DC/DC驱动、变压器、整流滤波、高速数字隔离和栅驱动器,实现单电源+5V供电

详情介绍

    HJ393A/B/C是耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器,内含DC/DC驱动、变压器、整流滤波、高速数字隔离和栅驱动器,实现单电源+5V供电。该电路内部产生隔离的VCC+16V+20 V正电源电压和VEE-3V-6V负电源电压。HJ393A能将500KHz占空比为0-99%TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCCVEE的驱动信号,HJ393B输入频率为800KHzHJ393C输入频率为1MHz。由于超宽的禁带能级,使得用SiC材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小,故为了达到额定的ID电流,那么需要的栅源电压要大一些。另外,为了保证在Tj≥250℃MOS管能够可靠关断,保证高温下输入低电平的噪声容限,SiC-MOS管需要一个负偏压关断,这点类似于IGBT管。该器件可满足SiC-MOS/IGBT管栅极驱动的要求,确保SiC-MOS/IGBT管的可靠导通和关断。其瞬态峰值驱动电流为4A,且具有较高的隔离度和抗扰度,确保在高频PWM信号和D电压的情况下电路可靠工作。主要特点有:

  • 自带DC/DC隔离电源
  • 1800VDC峰值隔离
  • 高共模瞬变抑制:CMTI≥50KV/μS
  • 工作温度可达200℃
  • 输入输出信号隔离
  • 0-99%占空比应用
  • 能实现IGBT/SiC-MOS管的负电压关断
  • 工作频率达HJ393A:500KHzHJ393B:800KHzHJ393C:1MHz
  • 瞬态峰值驱动电流HJ393A±9AHJ393B-2.5A/+5AJ393C:±1.5A
  • 充放电时间快,延迟时间短:trtf≤50nS
未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加
暂未实现,敬请期待
暂未实现,敬请期待
上一篇: 器件国产化替代
下一篇: HJ1200半桥SiC –MOSFET功率模块
同类优质产品

在线询价

X

已经是会员?点击这里 [登录] 直接获取联系方式

会员登录

X

请输入账号

请输入密码

=

请输验证码

收藏该商铺

X
该信息已收藏!
标签:
保存成功

(空格分隔,最多3个,单个标签最多10个字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功!我们将在第一时间回复您~
产品对比

对比框