反 应 离 子 刻 蚀 设 备CPN-H 6 7 -12A 型：
该设备主要用于半导体集成电路制造中氮化硅、多晶硅、二氧化硅的干法刻蚀；而且还能刻蚀铬、氧化铬、铝等。:采用上电极进源的平行平板电极，具有各向异性腐蚀，因而腐蚀精度高。反应室钟罩电动升降：抽气管道采用大口径不锈钢波逢管，配有30升的罗茨泵机组，带有压力控制装置。
主要技术指标：
1、主机电源：380v/50Hz 5KVA 。
2、电极间距：10～30mm可调。
3、装片量：Ф50 8片次，Ф75 3片/次，Ф127 1片/次。
4、均匀性：＜5%。
5、刻蚀速率：1000A°/min（Sino2）。
6、射频电源：f=13.56Mhz，p=200-1000W， 驻波比＜1.5。
7、极限真空度： 2pa。
8、供气系统：三路质量流量计。
9、外型尺寸：1000×800×1800。
10、重量：200Kg。
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