| 设备配置 | 1C1D、2C、2D |
| 衬底材质 | Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等 |
| 线宽 | ≥0.35um |
| 适用工艺 | G-line、i-line、PI |
| 应用领域 | MEMS、功率器件、射频集成、光通讯、科研等 |
| 技术特征 | ◼设备结构紧凑、占地面积小（面宽仅1.1m) ； ◼功能齐全，具备EBR、BSR、RRC、胶嘴自动保湿清洗等功能，可选配更换便捷的针管式胶嘴； ◼可做两种尺寸兼容，不需要更换零件； ◼可选配光刻胶显影液温控, HMDS等单元部件。 |
| 设备尺寸 | 1180*1450*2040mm（W*D*H） |
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