| 设备配置 | 2C2D、4C、4D |
| 设备产能 | 180WPH |
| 衬底材质 | Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等 |
| 线宽 | ≥0.35um |
| 适用工艺 | G-line、i-line、PI |
| 应用领域 | MEMS、功率器件、射频集成、光通讯、LED、科研等 |
| 技术特征 | ◼设备采用高速机械手、产能高，稳定性好； ◼配置有RRC功能，光刻胶4寸用量可控制在0.6ml； ◼设备故障、生产工艺参数等记录等可长期保存备查； ◼光刻胶采用精密计量泵供应，精度高，供液稳定，出胶量设定方便； ◼可做两种尺寸兼容，不需要更换零件； ◼可选配光刻胶显影液温控, HMDS等单元部件。 |
| 设备尺寸 | 1650*1450*2040mm（W*D*H） |
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