基于于团队成员的多年研发经验,我们发展和制造了 MBE激光分子束外延设备及各种功能的源炉。每个产品都是由MBE专业人才进行组装和测试的。
MBE激光分子束外延设备是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发的。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。MBE系统是的非常适合于III/V族, II/VI族或其他异质结构材料生长应用研发与生产。
MBE激光分子束外延设备的主要参数规格:
● ID 550 mm
● 应用于III/V族, II/VI族或其他异质结构材料
● 大晶片6英寸,或7x2英寸晶片
● 进样室和缓冲腔室
● 线性样品传输系统
● 标准法兰孔数目(标准11个,可按要求增加3个)
● 束流源,气体源,样品台
● 抽真空系统(离子吸附泵,分子泵,低温泵等)
● 原位表征能力
● 软件/硬件控制系统
● 额外要求可定制
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