详情介绍：
激光分子束外延设备的英文缩写为ＭＢＥ，这是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。激光分子束外延设备的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于准确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子阱微结构材料。
激光分子束外延设备的优势：
1. 由脉冲激光做溅射源，将预外延材料原子溅射出来在衬底外延沉积得到单晶薄膜，RHEED电子枪做原位监测
2. 可放多块不同尺寸靶材, 靶台可公自转，靶基距连续可调
3. 样品台衬底可自转，可加热
● ID 550 mm
● 应用于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料
● 大晶片6英寸，或7x2英寸晶片
● 进样室和缓冲腔室
● 线性样品传输系统
● 标准法兰孔数目(标准11个，可按要求增加3个)
● 束流源，气体源，样品台
● 抽真空系统(离子吸附泵，分子泵，低温泵等)
● 原位表征能力
● 软件/硬件控制系统
● 额外要求可定制
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