ID5S609F1单相风机驱动芯片管脚和功能与IR2304基本一致，ID5S609F1可兼容替代IR2304。是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或1GBT构成的半桥结构。
ID5S609F1单相风机驱动芯片特性
■ 高侧浮动偏移电压600V
■ 输入逻辑兼容3.3V和5V
■ dV/dt抗干扰能力±50V/nsec
■ 自举工作的浮地通道
■ 芯片工作电压范围10V-20V
■ 高低侧均具有欠压保护功能
■ 输出拉灌电流能力400mA/800mA
■ 高低侧通道均延时匹配
■ 死区时间典型值为180ns
封装订购信息
典型应用电路图
ID5S609F1芯片应用领域
■ 中小型功率电机驱动
■ 功率MOSFET或IGBT驱动
■ 半桥功率逆变器
■ 全桥功率逆变器
■ 任意互补驱动转换器
ID5S609F1单相风机驱动芯片输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合，广泛应用于高压风机和泵、步进马达等领域。
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