ID2206驱动可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。其浮地通道能工作在600V的高压下。是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。
ID2206D半桥栅极驱动芯片输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。
ID2206驱动特性
■ 高侧浮动偏移电压600V
■ 输入信号兼容3.3V 和5V逻辑电平
■ dV/dt 抗干扰能力±50V/nsec
■ 内置自举二极管
■ 芯片工作电压范围 10V ~20V
■ 高低侧均具有欠压保护功能
■ 输出拉灌电流能力210mA / 360mA
■ 高低侧通道均延时匹配
■ 死区时间典型值为150 ns
封装/订购信息
典型电路图
应用领域
■ 高压风机
■ 风筒
■ 家电产品
ID2206D 600V半桥栅极驱动芯片，输入功率电压高达 600V，兼容 3.3V, 5V 逻辑工作电平，10-20V 宽范围工作电压范围，具有防直通保护、欠压保护等多种功能，典型应用于高压风机和泵、步进马达等，可兼容代换ir2106驱动。
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