ID7S625高压逆变器驱动芯片其浮地通道能工作在60OV的高压下，可用于驱动一个N沟道功率MOSFE或IGBT半桥拓扑结构。是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器。具有独立的高低侧输出通道。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3V，具有大电流输出能力。芯片内置的延时匹配功能可以为更好的适配高频应用。
id7s625驱动芯片特性
■ 高侧浮动偏移电压600V
■ 输入逻辑兼容3.3V/5V/15V
■ 自举工作的浮地通道
■ 芯片工作电压范围10V一20V
■ 所有通道均具有欠压保护功能(UVLO)
■ 输出电流能力2.5A
■ 所有通道均有延时匹配功能
id7s625芯片引脚图
ID7S625芯片电路图
备注：
1、IGBT的Vcc电源电压应为15V，MOEFET的则为I2V至15V
2、栅极和电源设备之间的下拉电阻器，值为10kQ
3、驱动电路的开通关断通道应独立，电阳值根据功率器件而定
4、Vcc和自举二极管之间的电阻，避免VBS dv/dt
应用领域
■ DCDC转换器
■ 功率MOSFET和IGBT驱动
■ DC/AC转换器
ID7S625高压逆变器驱动芯片具有欠压保护，超低的 VDD 工作电压，10-20V 宽范围工作电压范围，稳健的 dV/dt 能力、VS 负偏压能力，是高压高低侧栅极驱动芯片。可兼容替代ir2110驱动芯片，典型应用于逆变器、DCDC 变换器等领域。
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