PFC IGBT是一种将MOSFET的高开关速度与双极型晶体管的低通导损结合起来的半导体器件，通过降低从主电源中提取的输入电流的谐波失真来提高交直流电源的效率，PFC IGBT 设备通常用于工业和消费电子应用中，以实现高效率和功率因数校正。
SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop IlI)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，可兼容替换ST/意法STGW30M65DF2。
SGT30T60SDM1P7替代STGW30M65DF2特点
■ 低导通损耗
■ 快开关速度
■ 高输入阻抗
■ 30A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=30A
pfc igbt SGT30T60SDM1P7极限参数（除非特殊说明，Tc=25℃）
| 参数 | 符号 | 参数范围 | 单位 | |
| 集电极射极电压 | VCE | 600 | V | |
| 栅极射极电压 | VGE | ±20 | V | |
| 集电极电流 | Tc=25℃ | Ic | 60 | A |
| Tc=100℃ | 30 | |||
| 集电极脉冲电流 | IcM | 90 | A | |
| 二极管电流 Tc=25℃ Tc=100℃ | IF | 60 | ||
| 30 | A | |||
| 短路维持时间(VGE=15V,Vcc=300V) | TSC | 10 | us | |
| 耗散功率(Tc=25℃) | PD | 230 | W | |
| 工作结温范围 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 贮存温度范围 | Tstg | -55~+150 | ℃ | |
STGW30M65DF2替代料SGT30T60SDM1P7，采用 T0-247-3L封装，额定电压：650V，额定电流：30A，导通电压降：1.65V，电气特性与ST/意法STGW30M65DF2基本上一致，可兼容替代，具有优异的开关特性和低导通电压降，广泛应用UPS，SMPS以及PFC等领域。
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