SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型品体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252特征
■ 低导通损耗
■ 快开关速度
■ 高输入阻抗
■ 5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A
SGTP5T60SD1D/FS IGBT 5A 600V to252极限参数（除非特殊说明，Tc=25℃）
| 参数 | 符号 | 参数范围 | 单位 | |||
| SGTP5T60SD1D | SGTP5T60SD1F | SGTP5T60SD1S | ||||
| 集电极射极电压 | VCE | 600 | V | |||
| 栅极射极电压 | VGE | ±30 | V | |||
| 集电极电流 | Tc=25℃ | Ic | 10 | A | ||
| Tc=100℃ | 5 | |||||
| 集电极脉冲电流 | IcM | 15 | A | |||
| 二极管电流 | IF | 10 | A | |||
| 短路维持时间 | TSC | 10 | us | |||
| (VGE=15V,Vcc=300V) | ||||||
| 耗散功率(Tc=25℃) | PD | 82 | 35 | 83 | W | |
| 工作结温范围 | TJ | -55~+150 | ℃ | |||
| 贮存温度范围 | Tstg | -55~+150 | ℃ | |||
SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶体管，5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，采用TO252封装，可兼容替换AOD5B65M1，典型应用于电机逆变 IGBT。
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