技术参数
制造商
INFINEON
型号
IAUTN12S5N018G
封装
PG-HSOG-8-1
描述
表面贴装型 N 通道 120 V PG-HSOG-8-1
产品描述
IAUTN12S5N018G的设计符合提升系统效率的需求，同时可降低系统成本。相较于其他备选器件，这些器件的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。该产品采用新型硅技术，经优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。这些MOSFET的典型应用包括计算领域中的服务器、数据通信和客户端应用。它们还可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。
特性
● 出色的导通电阻
● 符合标准的开关性能（低品质因数Ron x Qg和Ron x Qgd）
● 符合RoHS标准且无卤素
● 经过优化的EMI表现（ 集成的阻尼网络）
● 高效率
● 采用S3O8或Power Block模块封装的高功率密度
● 降低了总体系统成本
● 在高开关频率下运行
应用
● 台式机和服务器r
● 单相和多相PoL
● 笔记本电脑中的CPU/GPU电压调节
● 高功率密度电压调节器
● O形环
● 电子保险丝
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