技术参数
制造商
ON
型号
NVB190N65S3F
封装
TO-263-3
描述
N 沟道 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) 表面贴装型
产品描述
NVB190N65S3F 是全新的高压超级结 (SJ) MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种的技术可限度地减少传导损耗，提供的开关性能，并能承受的 dv/dt 率。
特性
700 V @ TJ = 150°C
典型值 RDS(on) = 158 m
超低栅极电荷（典型值 Qg = 34 nC）
低有效输出电容（Typ. Coss(eff.) = 314 pF）
99% 通过雪崩测试
通过 AEC-Q101 认证
这些器件无铅，符合 RoHS 规范
应用
汽车板载充电器
用于混合动力汽车的汽车 DC/DC 转换器
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。