技术参数
制造商
INFINEON
型号
IMZA65R057M1H
封装
PG-TO247-4-3
描述
通孔 N 通道 650 V 35A（Tc） 133W（Tc） PG-TO247-4-3
产品描述
IMZA65R057M1H 是在英飞凌 20 多年来开发的固体硅碳化硅技术基础上制造的。利用宽带隙 SiC 材料的特性，650VCoolSiC™MOSFET 充分利用了宽带隙 SiC 材料的特性，在性能、可靠性和易熔性方面实现了的组合。它适用于高温和高湿度操作，可实现最简化、、系统效率的部署。
产品属性
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：74 毫欧 @ 16.7A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：5.7V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：28 nC @ 18 V
Vgs（值）：+20V，-2V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：930 pF @ 400 V
功率耗散（值）：133W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-4-3
应用
● SMPS
● UPS（不间断电源）
● 太阳能光伏逆变器
● 电动汽车充电基础设施
● 储能和电池信息
● 类放大器
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。