技术参数
产品描述
IAUS300N08S5N011T用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET,具有N 沟道,增强模式,正常电平,超越 AEC-Q101 的扩展鉴定。器件增强型电气测试,稳健的设计,MSL1 峰值回流温度高达 260°C,175°C 工作温度,绿色产品(符合 RoHS 规范),99% 通过雪崩测试。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300A(Tj)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值):1.1 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值):3.8V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值):231 nC @ 10 V
Vgs(值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值):16250 pF @ 40 V
功率耗散(值):375W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-HDSOP-16-2
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