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当前位置:深圳市明佳达电子有限公司>>分立半导体>>晶体管 - FET,MOSFET - 单个>> IAUS300N08S5N011TIAUS300N08S5N011T

IAUS300N08S5N011T

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:IAUS300N08S5N011T
  • 品牌:
  • 产品类别:其它工业以太网
  • 所在地:深圳市
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2025-01-27 18:44:22
  • 浏览次数:
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经销商

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  • 经营模式:经销商
  • 商铺产品:4856条
  • 所在地区:广东深圳市
  • 注册时间:2023-10-24
  • 最近登录:2023-10-24
  • 联系人:陈先生 (销售经理)
  • 电    话:13925277766
产品简介

技术参数制造商INFINEON型号IAUS300N08S5N011T封装PG-HDSOP-16-2描述表面贴装型N通道80V300A(Tj)375W(Tc)PG-HDSOP-16-2产品描述IAUS300N08S5N011T用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET

详情介绍

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IAUS300N08S5N011T
封装
PG-HDSOP-16-2
描述
表面贴装型 N 通道 80 V 300A(Tj) 375W(Tc) PG-HDSOP-16-2

产品描述

IAUS300N08S5N011T用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET,具有N 沟道,增强模式,正常电平,超越 AEC-Q101 的扩展鉴定。器件增强型电气测试,稳健的设计,MSL1 峰值回流温度高达 260°C,175°C 工作温度,绿色产品(符合 RoHS 规范),99% 通过雪崩测试。


产品属性

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300A(Tj)

驱动电压( Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值):1.1 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(值):3.8V @ 275µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值):231 nC @ 10 V

Vgs(值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值):16250 pF @ 40 V

功率耗散(值):375W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PG-HDSOP-16-2

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