PECVD工艺中由于等离子体中高速运行的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；借助射频等使含有薄膜组成原子的...

PECVD工艺中由于等离子体中高速运行的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；借助射频等使含有薄膜组成原子的...

低温单温区系列管式炉系周期作业，供企业、院校、研究机构等单位选用。设备为用户提供具有真空、可控气氛及高温的实验环境，应用在半导体、纳米技术、碳纤维等新材料新工艺...

低温单温区系列管式炉系周期作业，供企业、院校、研究机构等单位选用。设备为用户提供具有真空、可控气氛及高温的实验环境，应用在半导体、纳米技术、碳纤维等新材料新工艺...

这款管式炉以优质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系...

这款管式炉以优质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系...

高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

这款管式炉以优质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系...

这款管式炉以优质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系...

这款管式炉以优质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系...

这款管式炉以优质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系...

这款管式炉以优质电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系...

这款管式炉以优质电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构，厦门宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系...