主要用于中小规模集成电路和半导体元器件制造工艺中的对准及曝光。本产品采用LED光源，操作方便、稳定性高、重复性好，并具有较高的性能价格比，可广泛应用于科研和生产。
主要技术特点
对准工作台
对准精度搞，漂移小，精密楔形误差补偿机构实现三点找平，找平力小，延长掩摸版使用寿命
曝光系统
紫外光曝光系统采用了柱体蝇眼透镜和多点UVLED灯，光能利用率高，光强分布均匀。
分离视场显微镜
在X、Y方面进行大范围扫描观察，可进行单视场或双视场切换，提高对准效率和套准精度，同时兼容CCD成像显示功能。
控制系统
电气控制采用可编程序控制器（PLC）、LCD显示器，操作方便，汞灯电源易于触发，可靠性高。该设备的关键件采用进口或专业厂家制造，气动元件采用SMC产品，提高了设备的稳定性、可靠性，同时提供个性化服务。
主要技术指标
| 性能名称 | 技术指标 | |
| 适用基片尺寸 | Max. φ4″（φ100mm） | |
| 适用掩模版尺寸 | Max. 5″（125mm×125mm） | |
| 工作台行程 | Ｘ向 | ±5mm |
| Y向 | ±5mm | |
| Z向 | 3mm | |
| θ向 | ±12° | |
| 基片与掩模版分离间隙 | 0～0.05mm | |
| 对准精度 | ±1μm | |
| 分离视场显微镜 | 目镜 | 10× |
| 物镜 | 10× | |
| 物镜分离距离 | 28～90mm | |
| 扫描范围 | 50mm×50mm | |
| 调焦范围 | 8mm | |
| 曝光光源 | 250W进口超高压汞灯 | |
| 光强 | ≥15mW/cm2 | |
| 曝光面积 | φ108mm | |
| 曝光分辨率 | 1.5μm（真空接触） | |
| 曝光不均匀性 | ±3% | |
| 曝光时间 | 0～999s | |
| 整机功率 | 1000W | |
| 外型尺寸（长×宽×高） | 740mm×830mm×1300mm | |
关键词:
曝光
视场
采用
分离
主要
对准
尺寸
设备
光强
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