| 设备配置 | 2-4 chamber（option: COT、DEV） |
| 设备产能 | 20WPH |
| 衬底材质 | Si、Glass等 |
| 适用工艺 | 深孔喷胶TSV、高深宽比台阶喷胶. |
| 工艺指标 | 平面均匀性≤5%@5-10um；台阶覆盖率≥30% |
| 应用领域 | *封装、MEMS、科研等 |
| 技术特征 | ◼适用于表面刻有深孔的高表面形貌圆形或方形基片的喷涂工艺要求，超声波雾化光刻胶胶粒，可均匀覆盖台阶表面，边缘，侧壁，底部； ◼喷嘴配有自动清洗功能； ◼设备可配置匀胶腔体和显影腔体。 |
| 设备尺寸 | 2665*1724*2432mm（W*D*H） |
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