光学系统

 曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)；

 365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；

 声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标；

 有安全保护装置的温度及其气流传感器；

 全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度；

 波长滤片检查及安装装置；

 抗衍射反射功能高效反光镜；

 二向色的防热透镜装置；

 防汞灯泄漏装置；

 配备蝇眼棱镜装置；

 配备近紫外光源，

    --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2

    --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2

    --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2

    --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

主要配置:

 6"，8"光源系统

 可支持2"，3"，4"，6"，8"（圆/方片）及碎片光刻（支持特殊工艺卡盘设计）

 手动系统，半自动系统,

 支持电源350-2000 Watt

 支持深紫外近紫外波长（可选项）<1.84度；

 CCD或显微镜对准系统

主要性能指标：:

 光强均匀性Beam Uniformity:

    --<±1% over 2" 区域

    --<±2% over 4" 区域

    --<±2.5% over 6" 区域

 接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um

 接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）： 0.5 um

 支持接近式曝光，特征尺寸CD:

    --0.8um 硬接触

    --1um 20 um 间距时

    --2um 50um 间距时

 正面对准精度±0.5um

 支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um

 支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻

 支持真空、接近式、接触式曝光

 支持恒定光强或恒定功率模式