可进行样品局部辐射干扰实验。以尖头端部分为中心可以向周围发出射频（RF）干扰，因此可以局部对基板及IC芯片进行抗干扰实验。使用zui大频率为3GHz，zui大可以达到约30W干扰功率。
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可进行样品局部辐射干扰实验
可进行样品局部辐射干扰实验。以尖头端部分为中心可以向周围发出射频（RF）干扰，因此可以局部对基板及IC芯片进行抗干扰实验。使用zui大频率为3GHz，zui大可以达到约30W干扰功率。
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