| 系列 Series | 杂质 Impurity | 入口 Inlet（ppm） | 出口 Outlet（ppb） |
| HON- He/Ar/Ne/Xe -SX/WX/VX | O2 | ＜3 | ＜1 |
| N2 | ＜1 | ＜1 | |
| H2 | ＜1 | ＜1 | |
| CO | ＜1 | ＜1 | |
| CO2 | ＜1 | ＜1 | |
| THC | ＜1 | ＜1 | |
| H2O | ＜3 | ＜1 | |
| PARTICLES | -- | ≤10pcs/m3, 0.003μm | |
| Pressure Drop | ＜1bar | ||
| Flow | 10～3000Nm3/h | ||
工艺介绍：
（1）先通过物理和化学吸附脱除O2、CO、CO2、H2O等杂质。
（2）通过吸气工序高温下进一步脱除O2、CO、CO2、H2O同时深度脱除CH4、N2。
（3）通过脱氢工序常温下深度脱除H2杂质。
（4）吸附反应器吸附饱和后可通氢加热再生，反复使用。
（5）吸气反应器吸附饱和后须整体更换。
应用领域：
集成电路制造行业
半导体、LED、激光、太阳能光伏行业
气体行业
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