一、HMDS真空烤箱，光刻HMDS预处理烘箱技术参数：
电源电压：AC 220V±10%/50Hz±2%
输入功率：2400W
控温范围：室温+10℃-250℃
温度分辨率：0.1℃
温度波动度：±0.5℃
达到真空度：133Pa
容积：90L
工作室尺寸（mm）：450*450*450（可选择）
载物托架：2块
时间单位：min
二、HMDS真空烤箱，光刻HMDS预处理烘箱特点：
1、 采用科研级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。 2、 箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。 3、 微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。 4、 智能化触摸屏控制系统配套进口PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。 5、 HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。 6、 整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。
六甲基二硅胺（HMDS）是黄光区zui毒的东西，建议使用HMDS真空烘箱，HMDS真空烘箱预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入通过氮气的HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。
HMDS与硅片反应机理圈：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻（*基硅烷基较大）阻止其进一步反应。
尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到废气收集管道。
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