LET-5000半导体静态参数测试系统是一款测量与分析功率半导体器件静态参数的专用仪器，为所有类型的功率半导体器件提供静态参数测量解决方案。
LET-5000 半导体静态参数测试系统能在 3kV（可扩展为 10kV）和 2200A 的条件下实现精确测量、分析功率半导体器件的静态参数。LET-5000 具有快脉冲能力，以及亚 pA 级电流检测能力，并具有优异的宽电压和电流测量能力。
被测对象及主要测试参数
被测对象 | 主要测试参数 |
分立器件 | Id-Vg，Id-Vd，Ic-Vc,二极管 |
双极 | Ic-Vc、二极管、Gummel 图、击穿、hfe、电容 |
Coms | Id-Vg、Id-Vd、Vth、击穿、电容、QSCV等 |
内存 | Vth、电容、耐久测试等。 |
MOSFET | Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,电容 |
IGBT | Ic-Vce，Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),击穿 |
太阳能电池 | I-V、Cp-V、奈奎斯特图、DLCP 等。 |
纳米器件 | 电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
GaN | FET 电流衰减、Id-Vds 电流衰减、二极管电流 |
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