EM12可在单入射角度或多入射角度下对样品进行准确测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k；也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；亦可用于实时测量纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的相对厚度测量。
EM12采用了量拓科技多项技术。
特点：
次纳米量的高灵敏度
采样方法、高稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了能够测量极薄纳米薄膜，膜厚精度可达到0.2nm。
1.6秒的快速测量
水准的仪器设计，在保证精度和准确度的同时，可在1.6秒内快速完成一次测量，可对纳米膜层生长过程进行测量。
简单方便的仪器操作
用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程，数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行高测量设置。
应用：
EM12适合于中端精度要求的科研和工业环境中的新品研发或质量控制。
EM12可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k；可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。
EM12可应用的纳米薄膜领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。
技术指标:
| 项目 | 技术指标 |
| 仪器型号 | EM12 |
| 激光波长 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
| 膜厚测量重复性（1） | 0.2nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) |
| 折射率测量重复性（1） | 2x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) |
| 单次测量时间 | 与测量设置相关，典型1.6s |
| 大的膜层范围 | 透明薄膜可达4000nm 吸收薄膜则与材料性质相关 |
| 光学结构 | PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有的准确度） |
| 激光光束直径 | 1-2mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手动调节，步进5° |
| 样品方位调整 | Z轴高度调节：±6.5mm 二维俯仰调节：±4° 样品对准：光学自准直和显微对准系统 |
| 样品台尺寸 | 平面样品直径可达Φ170mm |
| 大外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角为90º时) |
| 仪器重量（净重） | 25Kg |
| 选配件 | 水平XY轴调节平移台 真空吸附泵 |
| 软件 | ETEM软件： l 中英文界面可选； l 多个预设项目供快捷操作使用； l 单角度测量/多角度测量操作和数据拟合； l 方便的数据显示、编辑和输出 l 丰富的模型和材料数据库支持 |
注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。
性能保证:
- 稳定性的He-Ne激光光源、采样方法，保证了高稳定性和高准确度
- 高精度的光学自准直系统，保证了快速、高精度的样品方位对准
- 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合采样技术，保证了快速、稳定测量
- 分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和相对厚度的测量
- 一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间
- 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用
- 可选配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片
NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
样品池
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