详细描述
本设备具有选择比好，刻蚀速度快、重复性好等特点，它较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用范围更广。可刻蚀的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机等领域的器件研发和制造。
产品主要性能指标
型号 | ICP-2B |
真空系统 | 分子泵机组 |
刻蚀室数量 | 单室 |
刻蚀室规格 | ø300×280mm |
电极尺寸 | ø200mm |
刻蚀材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蚀速率 | ～4 μ/min （与刻蚀材料和工艺有关） |
刻蚀不均匀性 | ≤±5% |
深硅刻蚀控制单元 | 可选 |
操作方式 | 手动 |
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