详细描述
本产品通过物理与化学相结合的方法，对很细的线条（亚微米以下）进行刻蚀以形成精细的图形。
本设备具有选择比较好、刻蚀速度较快、重复性好、性价比较高等特点。可刻蚀的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本产品通过对真空系统、工作压强、射频电源匹配、气体流量及工艺过程的全自动控制，使工艺的重复性、稳定性、可靠性得到有效保证，从而获得较高的刻蚀速率，并能精确地控制图形的剖面。
本设备的数字化参数界面和自动化操作方式为用户提供了优良的研发和生产平台。
本产品通过软、硬件相互配合的互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等设计，结合各种硬保护装置、使设备的安全性、可靠性得到有效保证。
本产品主要用于微电子、光电子、通讯、微机械等领域的器件研发和制造。
产品主要性能指标
型号 | RIE-502 |
真空系统 | 分子泵机组 |
刻蚀室数量 | 双室 |
刻蚀室规格 | ø300×100mm |
电极尺寸 | ø200mm |
刻蚀材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蚀速率 | 0.1 – 1 μ/min （与刻蚀材料和工艺有关） |
刻蚀不均匀性 | ≤±5% |
自动化程度 | 真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动控制。 |
人机界面 | Windows环境、触摸屏操作 |
操作方式 | 全自动方式、非全自动方式 |
自动化装置的选配 | 可选择进口件或国产件 |
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