刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。
下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：
二氧化硅腐蚀：
在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感，温度越高，腐蚀越快。
具体步骤为：
1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；
2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；
3、冲纯水；
4、甩干。
二氧化硅腐蚀机理为：
SiO2+4HF=SiF4+2H2O
SiF4+2HF=H2SiF6
H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。
由于基区的氧化层较发射区的厚，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等。但是由于基区的氧化层一般比发射区的厚，所以刻蚀时容易发生氧化区的侵蚀。
二氧化硅腐蚀后检查：
1、窗口内无残留SiO2（去胶重新光刻）；
2、窗口内无氧化物小岛（去胶重新光刻）；
3、窗口边缘无过腐蚀（去胶重新光刻）；
4、窗口内无染色现象（报废）；
5、氧化膜无腐蚀针孔（去胶重新光刻）；
6、氧化膜无划伤等（去胶重新光刻）。
Al上CVD腐蚀：
掺磷的SiO2是磷硅玻璃，如果PSG是长在铝上做钝化层，这时采用二氧化硅腐蚀液腐蚀会伤及铝层，所以一般采用如下腐蚀液：冰乙酸：氟化铵=2：3。具体步骤为：
1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S；
2、将片架放入装有腐蚀液（冰乙酸：氟化铵=2：3）的槽中浸泡，并且上下晃动片架；
3、将片架放入装有甲醇溶液（甲醇：纯水=1：1）的槽中浸泡；
4、在溢流槽中溢流冲水；
5、冲纯水；
6、甩干。
铝腐蚀：
在铝腐蚀清洗机中进行，具体步骤为：
1、将装有待铝腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10-15s，并且上下晃动；
2、将片架放入装有45℃左右的铝腐蚀液（磷酸+硝酸+醋酸+纯水）的槽中浸泡，上下晃动片架，使得铝腐蚀更充分，腐蚀的时间根据先行片的腐蚀时间进行调整，直到腐蚀后看到二氧化硅表面为止；
3、冲纯水；
4、甩干：在甩干机中甩干后烘干。
磷酸约占80%，主要起腐蚀铝的作用，硝酸占1%-5%，其与铝反应生成溶于水的硝酸盐，可以提高腐蚀速率，但含量过多会影响光刻胶抗蚀刻能力，醋酸占10%左右，它能降低腐蚀液的表面张力，增加硅片与腐蚀液的浸润效果，提高腐蚀均匀性，同时具有缓冲作用，纯水占5%左右。
铝腐蚀后检验，主要项目有：
1、连铝、铝过腐蚀、铝条间残铝、铝条不过细、铝条氧化——去胶后重新蒸铝；
2、铝条变色（灰、黑、黄）——如果变色严重则报废。
SIPOS腐蚀：
1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡20—30S，上下晃动；
2、将片架放入装有腐蚀液（40%NH4F溶液：H2O：40%HF溶液=10：6：1）的槽中浸泡，并且上下晃动片架；
3、冲纯水；
4、甩干。
等离子体刻蚀：
等离子体刻蚀可用于刻蚀SiO2，Si3N4，多晶硅等，但是，通常氧化硅用湿法腐蚀快，而氮化硅也可以采用二氧化硅腐蚀液，但是腐蚀速度慢，因此氮化硅刻蚀用干法刻蚀，所用的设备有901E/903E TEGAL plasma etching system型等离子刻蚀设备，用的的刻蚀气体有：CF4、O2、N2、SF6、CHF3、NF3、He、C2F6等。
1）Si3N4刻蚀：
在903E刻蚀机中刻蚀，刻蚀机内通入的气体有：CF4、NF3、He。
刻蚀机理是： CF4电离→CF3+F*（氟自由基）
CF3电离→CF2+F*
CF2电离→CF1+F*
12F*+ Si3N4→3Si F4↑+2 N2↑
氟游离基的作用是使氮化硅被腐蚀，生成物是气体，被真空装置抽气抽走。为了加快腐蚀速率可以在CF4中加入少量氧气（5%-8%），因为氧能够抑制F*在反应腔壁的损失，并且：CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… （电离）
COF*寿命较长，当它运动到硅片表面时发生以下反应从而加速了腐蚀速率：
COF*→F* CO （电离）
但是氧气加多了要腐蚀光刻胶降低选择比。
2）SIPOS、多晶硅刻蚀：
在901E刻蚀机中刻蚀，刻蚀机内通入的气体有：SF6。
玻璃腐蚀：
1、 配制5%HF溶液，
配制腐蚀液：5%HF溶液：H2O=3：50；
2、常温下，将硅片放入腐蚀液中浸泡；
3、在溢流槽中冲洗；
4、冲纯水；
5、甩干。
湿法去胶：
铝淀积前去胶在SH去胶机（湿法腐蚀机）中进行，采用SH溶液将胶氧化的方法去胶，具体步骤为：
1、在SH清洗剂（98%H2SO4：H2O2=3：1）中浸泡；
2、在温纯水中溢流冲水；
3、在溢流槽中溢流冲水；
4、甩干。
由于酸对铝有腐蚀作用，淀积铝后去胶就不能用酸，在此采用有机溶剂OMR502剥离液去胶，在OMR剥离清洗机中进行，具体步骤为：
1、在剥离液（OMR-83剥离液）中浸泡去除光刻胶；
2、再在H-1清洗剂中浸泡去除剥离液；
3、在异丙醇中浸泡去除H-1清洗剂；
4、冲纯水；
5、甩干。
等离子体干法去胶：
用HDK-2型等离子刻蚀去胶机去胶，在去胶机内通入刻蚀气体O2。等离子体内的活化氧使有机物在（50—100）℃下很快氧化，生成CO2、CO、H2O等挥发性成份，从而达到去胶目的。
特殊胶（PI钝化产品、带胶注入产品）：PI去胶时除了O2，再加适量的CF4，如果去不干净再在等离子刻蚀机上用SF6处理。
一般在Si3N4刻蚀后去胶用有机溶剂剥除，然后在等离子体去胶机中去胶丝，刻蚀后在显微镜下观察硅片表面是否有残丝。
去胶后检查：
1、有残胶——再去胶；
2、有残液——再清洗；
3、有残迹——用1号液清洗；
4、窗口有二氧化硅或铝残留。
半导体湿法腐蚀刻蚀清洗
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