专门为电子束敏感样品和需300万倍稳定观察的半导体器件,高分辨成像所设计。
特点
1.新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
2.用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
3.采用全新设计的Super E x B能量过滤技术,高效,灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
福州精科仪器仪表有限公司
免费会员
专门为电子束敏感样品和需300万倍稳定观察的半导体器件,高分辨成像所设计
专门为电子束敏感样品和需300万倍稳定观察的半导体器件,高分辨成像所设计。
特点
1.新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
2.用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
3.采用全新设计的Super E x B能量过滤技术,高效,灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
请选择省份
请输入账号
请输入密码
请输验证码
兴旺宝 设计制作,未经允许翻录必究 .Copyright(C) https://www.xwboo.com,All rights reserved.
以上信息由企业自行提供,信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责,兴旺宝对此不承担任何保证责任。
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。