详情介绍：
概述
高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。 该设备具有负载锁室，具有出色的工艺可重复性和稳定性。
特点
新型ICP源「HSTC™： Hyper Symmetrical Tornado Coil」
高射频功率（2 kW 或更高）可高效、稳定地应用，以实现良好的均匀性。
大流量排气系统
通过采用与反应室直接相连的排气系统，实现了从小流量、低压区域到大流量、高压范围的各种工艺窗口。
下部电极升降机构
优化晶圆和等离子体之间的距离，确保良好的平面内均匀性。
易于维护的设计
TMP（涡轮分子泵）易于单元化和更换。
应用示例
• 高精度加工化合物半导体，如 GaN、GaAs 和 InP
・高速加工SiC、SiO
• 蚀刻难蚀刻材料，如铁电体（PZT、BST、SBT、BT）和电极材料（Pt、Au、Ru、Al）
化合物半导体晶圆的等离子切割，薄型化
选项
难蚀刻材料用特殊电极机构
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