ID2006芯片是一款基于P衬底、P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，具有独立的高低边参考输出通道。该浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET，工作电压高达200V。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至33V。具有大电流输出能力。
ID2006芯片特性
■ 高侧浮动偏移电压200V
■ 输入逻辑兼容3.3V/5V
■ dV/dt抗干扰能力±50V/nsec
■ 芯片工作电压范围6V~18V
■ 拉/灌电流能力典型值1A/1A
■ VS负偏压能力典型值-9V
id2006驱动芯片封装及引脚
id2006驱动芯片封装及引脚
驱动芯片id2006工作原理图
备注1：RB值建议使用10Ω，BSD采用超快恢复或肖特基二极管。
备注2：CBS值根据PWM控制条件而定。
备注3：驱动电路应根据所使用的MOSFETs进行调整。
备注4：MOSFETs栅极和源极之间的下拉电阻，建议为10kΩ。
备注5：HIL/LIN和MCU之间的电阻器，建议值为100-1kΩ。
应用领域
■ 中小型功率电机驱动
■ 功率MOSFET驱动
■ 半桥功率逆变器
■ 全桥功率逆变器
■ 任意互补驱动转换器
ID2006 200V半桥驱动芯片是高低侧半桥驱动芯片，具有防直通功能、输入功率电压高达 200V， 6-18V 宽范围工作电压范围、1A/1A 拉灌电流能力、输入兼容 3.3V, 5V 逻辑工作电平，典型应用于电动车、电动平衡车等领域，更多id2006驱动芯片产品手册及应用资料请向骊微电子申请。>>
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