DWL 66+激光光刻系统是经济型、具有高分辨率的图形发生器。适用于小批量掩膜版制作和直写需求。DWL 66+拥有多种选配模块，例如:正面和背面对准系统;405nm和375nm波长的激光发生器;高级选配:位置精度校准和自动上下版加载系统。

更值得关注是DWL 66+在灰度曝光模式下的表现，从标准到专业水平的性能展现，这种多功能技术对于低对比度正型光刻的厚胶工艺，可以创建复杂2.5D微结构，常用于微透镜、DOE、全息图(CGHs)和纹理表面结构等科研领域。

DWL 66+的高度灵活和可定制的解决方案，专门为您的应用量身定做，已成为生命科学、封装、MEMS、微光学、半导体和所有其他需要微结构的应用中应用普遍的光刻研究工具。

DWL 66⁺原理：

利用强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料实施变剂量曝光，显影后便在抗蚀层表面形成要求的结构轮廓。

DWL 66⁺具有以下优点：

Ÿ 高分辨率

Ÿ 无掩模光刻

Ÿ 多种可选配模块

Ÿ 灵活性与可定制性

Ÿ 可以设定多样的实验条件

主要功能

Ÿ 光栅扫描曝光

Ÿ 快速曝光复杂的图形

Ÿ 灰度光刻

技术能力

Ÿ 曝光面积：200×200mm²

Ÿ 基板尺寸:9"x 9"

Ÿ 多个直写模式

Ÿ 特征尺寸：小至300nm

Ÿ 书写速度（4μm分辨率下）:2000mm2/min

Ÿ 灰度曝光模式，1000灰度

Ÿ 矢量和栅格扫描曝光模式

Ÿ 多数据输入格式

Ÿ 前后对齐

Ÿ 激光波长(405nm或375nm、两种选择)

Ÿ 实时自动对焦系统

Ÿ 脚本兼容

Ÿ 测量和检验的一体化摄像系统

应用

生命科学、封装、MEMS、微光学、半导体及其他有微纳米结构需求的领域。