技术参数
产品描述
BSC050N10NS5ATMA1 OptiMOS™ 5 100V功率MOSFET是专门为电信和服务器电源的同步整流而设计的。此外,这些器件还可用于其他工业应用,如太阳能、低压驱动和适配器。
规格
系列: OptiMOS™ 5
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :16A(Ta),100A(Tc)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): 5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值):3.8V @ 72µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): 61 nC @ 10 V
Vgs(值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): 4300 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(值): 3W(Ta),136W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-7
封装/外壳: 8-PowerTDFN
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