技术参数
产品描述
MSC2X50SDA120J 器件是配置2个独立式的1200V,,50A SiC SBD器件,采用SOT-227封装。与纯硅器件相比,碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷,可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关,可确保稳定的高温性能。
产品规格:
二极管配置:2 个独立式
技术:SiC(碳化硅)肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(值):1200 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):50A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.8 V @ 50 A
速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr):0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 µA @ 1200 V
工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227(ISOTOP®)
基本产品编号:MSC2X50
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。