技术参数
制造商
Microchip
型号
MSCSM120AM042CD3AG
封装
D3
描述
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 495A（Tc） 2.031kW（Tc） 底座安装 D3
产品描述
MSCSM120AM042CD3AG器件是一个2 N 沟道（相角）1200V，495A的全碳化硅功率模块，
应用：
• 焊接转换器
• 开关模式电源
• 不间断电源
• 电动电机和牵引驱动
产品规格：
技术：碳化硅（SiC）
配置：2 N 沟道（相角）
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：495A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：5.2 毫欧 @ 240A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：2.8V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：1392nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：18.1pF @ 1000V
功率 - 值：2.031kW（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：D3
基本产品编号：MSCSM120
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